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又一家国产厂商量产28nm工艺 明年量产14nm

2018年4月3日,华虹公司公布在无锡开设七家华虹半导体厂。据熟识,华虹无锡集成电路研发制造基地项目占地约700亩,总投资100亿美元,一期项目总投资约25亿美元。为支持5G和物联网等新兴范畴的应用,创建了一条新的12英寸工艺集成电路生产线,其工艺品级为90×65nm,月生产本领大概是4万芯片。华虹无锡基地项目将分历程开发几条12英寸集成电路生产线.项目第一期试验后,将适时开工开发第二条生产线。通过一年的开发,华虹近期公布无锡华虹七号厂将在第二季度进入装备,估计将于第四序度正式开始生产12英寸晶片,华虹的研发、项目和贩卖团队正在为此做预备。在先辈工艺方面,华虹早些时候公布,这一年将大范围生产28nmHKC+工艺,第一个合作朋友是联发,后者将与后者签订条约,生产28nm低功耗无线通讯芯片。通过28纳米工艺后,华虹将于2020年大范围生产14nmFinFET工艺,略过时于中芯国际在几天前召开的财务通知会议上提到的工艺进步的国际量产14纳米工艺。

这一年,能源生产14nm提升了12nm工艺-FinFET研发期望顺遂,12nm工艺开发进入客户引进历程,下一代FinFET研发在已往积存的底子上取得了可喜的期望。到2020年,无论台积电已经在南京生产的16nm工艺,至少有两家国内制造商将生产14nm的FinFET工艺,虽然它过时于TSMC、三星、Intel等公司的7nm和5nm工艺。然而,在工艺层面上,国内晶圆厂也可以说遇上了一流程度。14nm是一种高性能的工艺节点,将在将来很长一段时间内存在,具有宽敞的市场远景。

在国内的晶圆厂中,中芯国际是范围最大、范围开始辈的,除了上海华虹半导体的主承包特种工艺外,这些年来公司还投资开发华虹六号厂和华虹七厂。改进先辈半导体工艺承包开发。华虹在无锡的七家工场将于这一年第二季度进入该装备,并于这一年第四序度正式批量生产。在先辈工艺方面,华虹将成为28nmHKC+低功耗无线通讯芯片的条约制造商,估计2020年将大范围生产14nmFinFET工艺。

华虹半导体(无锡)有限公司。一期项目将于2019年上半年完成土建,下半年完成净化厂开发和电力机电装备安装,通过线路慢慢完成生产,年产值估计将实现50亿元。